Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$26.10
- 10+ adet$24.62
- 100+ adet$23.23
- 500+ adet$21.91
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Pin Sayısı
- 100
- Density
- 9 Mb
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Number Of Ports
- 4
- Word Size
- 36b
- Uzunluk
- 20mm
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2003
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Clock Frequency
- 100MHz
- Organization
- 256KX36
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Nominal Supply Current
- 180mA
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 18b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Size
- 9Mb 256K x 36
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Usage Level
- Automotive grade
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory