Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$19.36
- 10+ adet$18.27
- 100+ adet$17.23
- 500+ adet$16.26
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 9 Mb
- Pin Sayısı
- 100
- JESD-609 Kodu
- e3
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 20mm
- Number Of Ports
- 4
- Word Size
- 36b
- Organization
- 256KX36
- Clock Frequency
- 200MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2005
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 220mA
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Address Bus Width
- 18b
- Memory Width
- 36
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 100
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 3ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory