Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 180mA
- Memory Types
- Volatile
- Density
- 9 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 100
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 2.375V~2.625V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 9Mb 512K x 18
- Word Size
- 18b
- Number Of Ports
- 2
- Access Time
- 3.5ns
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Seri
- NoBL™
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Yayın Yılı
- 2004
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory