Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.44
- 10+ adet$1.36
- 100+ adet$1.28
- 500+ adet$1.21
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Density
- 9 Mb
- Pin Sayısı
- 100
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Word Size
- 18b
- Number Of Ports
- 2
- Ambalaj
- Tray
- Yayın Yılı
- 2004
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Clock Frequency
- 166MHz
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 180mA
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Size
- 9Mb 512K x 18
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 3.5ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory