Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.55
- 10+ adet$1.46
- 100+ adet$1.38
- 500+ adet$1.30
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 100
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Address Bus Width
- 18b
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.375V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Nominal Supply Current
- 220mA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Temel Parça No
- CY7C1354
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 9Mb 256K x 36
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Seri
- NoBL™
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 3.2ns
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 2.375V~2.625V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- JESD-609 Kodu
- e4
- Genişlik
- 14mm
- Density
- 9 Mb
- Max Supply Current
- 220mA
- Pin Sayısı
- 100
- Yükseklik
- 1.4mm
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.625V
- Terminal Sayısı
- 100
- Yayın Yılı
- 2004
- Weight
- 657.000198mg
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory