Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.67
- 10+ adet$0.64
- 100+ adet$0.60
- 500+ adet$0.57
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Density
- 4 Mb
- Pin Sayısı
- 100
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 1998
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Organization
- 128KX36
- Clock Frequency
- 200MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 20mm
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 4
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 100
- Address Bus Width
- 17b
- Memory Width
- 36
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 265mA
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory