Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.91
- 10+ adet$0.86
- 100+ adet$0.81
- 500+ adet$0.76
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Pin Sayısı
- 100
- Density
- 4 Mb
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Uzunluk
- 20mm
- Ambalaj
- Tray
- Number Of Ports
- 4
- Word Size
- 36b
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 100
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 1998
- Clock Frequency
- 133MHz
- Organization
- 128KX36
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 225mA
- Pin Sayısı
- 100
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 17b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Size
- 4.5Mb 128K x 36
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Seri
- NoBL™
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory