Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- Parallel
- Qualification Status
- Not Qualified
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Nominal Supply Current
- 240mA
- Density
- 2 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Besleme Gerilimi
- 3.15V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 100
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Format
- SRAM
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 16b
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 2Mb 64K x 36
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 3.5ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 20mm
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 4
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Yayın Yılı
- 2002
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory