Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.16
- 10+ adet$4.86
- 100+ adet$4.59
- 500+ adet$4.33
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 4 Mb
- Pin Sayısı
- 100
- JESD-609 Kodu
- e3
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.15V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 4
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 20mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Organization
- 128KX36
- Clock Frequency
- 100MHz
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 100
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2002
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Nominal Supply Current
- 205mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Address Bus Width
- 17b
- Memory Width
- 36
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 100
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Access Time
- 8ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory