Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.15V~3.6V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 18b
- JESD-609 Kodu
- e4
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 240mA
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 100
- Density
- 4.5 Mb
- Memory Types
- Volatile
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 100
- Io Type
- COMMON
- Clock Frequency
- 166MHz
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Standby Currentmax
- 0.045A
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C1327
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Memory Size
- 4.5Mb 256K x 18
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Access Time
- 3.5ns
- Word Size
- 18b
- Number Of Ports
- 2
- Terminal Adımı
- 0.635mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory