+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1320KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1320KV18-250BZXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Pin Sayısı
165
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Besleme Gerilimi
1.8V
Memory Width
36
Address Bus Width
19b
Kılıf / Paket
165-LBGA
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Output Characteristics
3-STATE
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Memory Interface
Parallel
JESD-609 Kodu
e1
Memory Types
Volatile
Density
18 Mb
Syncasync
Synchronous
Pin Sayısı
165
Nominal Supply Current
460mA
Io Type
COMMON
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
165
Montaj
Surface Mount
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Temel Parça No
CY7C1320
Radyasyon Dayanımı
No
Standby Currentmax
0.25A
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Clock Frequency
250MHz
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 512K x 36
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Number Of Ports
1
Word Size
36b
Access Time
450 ps
Ambalaj
Tray

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek