+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1320KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1320KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu
e0
Memory Interface
Parallel
Nominal Supply Current
460mA
Pin Sayısı
165
Syncasync
Synchronous
Density
18 Mb
Memory Types
Volatile
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Kurşunsuz
Contains Lead
Pin Sayısı
165
Fabrika Tedarik Süresi
6 Weeks
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Output Characteristics
3-STATE
Memory Format
SRAM
Parça Durumu
Last Time Buy
Kılıf / Paket
165-LBGA
Besleme Gerilimi
1.8V
Address Bus Width
19b
Memory Width
36
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 512K x 36
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Access Time
450 ps
Number Of Ports
1
Word Size
36b
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Montaj
Surface Mount
Terminal Sayısı
165
Io Type
COMMON
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Clock Frequency
250MHz
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Standby Currentmax
0.25A

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek