+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1320CV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1320CV18-250BZXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu
e1
Memory Interface
Parallel
Nominal Supply Current
775mA
Density
18 Mb
Pin Sayısı
165
Syncasync
Synchronous
Memory Types
Volatile
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Pin Sayısı
165
Kurşunsuz
Lead Free
Parça Durumu
Obsolete
Memory Format
SRAM
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Output Characteristics
3-STATE
Kılıf / Paket
165-LBGA
Address Bus Width
19b
Memory Width
36
Besleme Gerilimi
1.8V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 512K x 36
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Access Time
450 ps
Number Of Ports
1
Word Size
36b
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Montaj
Surface Mount
Io Type
COMMON
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
165
Clock Frequency
250MHz
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Standby Currentmax
0.32A
Temel Parça No
CY7C1320

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek