Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Genişlik
- 19.2024mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Syncasync
- Asynchronous
- Pin Sayısı
- 52
- Density
- 8 kb
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 160mA
- Yükseklik
- 4.572mm
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Address Bus Width
- 20b
- Frekans
- 1MHz
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Format
- SRAM
- Power Supplies
- 5V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kılıf / Paket
- 52-LCC (J-Lead)
- Access Time Max
- 55 ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Uzunluk
- 19.2mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tube
- Word Size
- 8b
- Number Of Ports
- 2
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 52
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Yayın Yılı
- 2011
- Standby Currentmax
- 0.015A
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory