+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1319KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1319KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket
165-LBGA
Parça Durumu
Last Time Buy
Memory Format
SRAM
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Output Characteristics
3-STATE
Address Bus Width
20b
Memory Width
18
Besleme Gerilimi
1.8V
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Pin Sayısı
165
Memory Types
Volatile
Density
18 Mb
Pin Sayısı
165
JESD-609 Kodu
e0
Memory Interface
Parallel
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Clock Frequency
250MHz
Radyasyon Dayanımı
No
Standby Currentmax
0.25A
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Io Type
COMMON
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
240
Terminal Sayısı
165
Number Of Ports
1
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Parallelserial
SERIAL
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 1M x 18
Yüzey Montaj
YES
Access Time Max
450 ns

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek