+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1318CV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1318CV18-250BZXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket
165-LBGA
Parça Durumu
Obsolete
Memory Format
SRAM
Output Characteristics
3-STATE
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Besleme Gerilimi
1.8V
Memory Width
18
Address Bus Width
20b
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Kurşunsuz
Lead Free
Pin Sayısı
165
Nominal Supply Current
730mA
Memory Types
Volatile
Density
18 Mb
Syncasync
Synchronous
Pin Sayısı
165
JESD-609 Kodu
e1
Memory Interface
Parallel
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Clock Frequency
250MHz
Radyasyon Dayanımı
No
Temel Parça No
CY7C1318
Standby Currentmax
0.3A
Yayın Yılı
2003
Operating Supply Voltage
1.8V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Io Type
COMMON
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
165
Montaj
Surface Mount
Word Size
18b
Number Of Ports
1
Access Time
450 ps
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Size
18Mb 1M x 18

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek