Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 17b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Pin Sayısı
- 165
- Nominal Supply Current
- 590mA
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- Density
- 18 Mb
- Memory Types
- Volatile
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Clock Frequency
- 250MHz
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C1315
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 165
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- SEPARATE
- Uzunluk
- 15mm
- Access Time
- 450 ps
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 2
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory