+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1315KV18-250BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1315KV18-250BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket
165-LBGA
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Output Characteristics
3-STATE
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Memory Format
SRAM
Parça Durumu
Active
Address Bus Width
17b
Memory Width
36
Besleme Gerilimi
1.8V
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Pin Sayısı
165
Nominal Supply Current
590mA
Memory Types
Volatile
Pin Sayısı
165
Syncasync
Synchronous
Density
18 Mb
JESD-609 Kodu
e0
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Memory Interface
Parallel
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Clock Frequency
250MHz
Temel Parça No
CY7C1315
Radyasyon Dayanımı
No
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Terminal Sayısı
165
Io Type
SEPARATE
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Montaj
Surface Mount
Number Of Ports
2
Word Size
36b
Uzunluk
15mm
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek