+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1314KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1314KV18-250BZXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Clock Frequency
250MHz
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Temel Parça No
CY7C1314
Radyasyon Dayanımı
No
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Yayın Yılı
2003
Operating Supply Voltage
1.8V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Montaj
Surface Mount
Io Type
SEPARATE
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Terminal Sayısı
165
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Access Time
450 ps
Uzunluk
15mm
Number Of Ports
2
Word Size
36b
Terminal Adımı
1mm
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Standby Voltagemin
1.7V
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 512K x 36
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Output Characteristics
3-STATE
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Kılıf / Paket
165-LBGA
Memory Width
36
Address Bus Width
18b
Besleme Gerilimi
1.8V
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Pin Sayısı
165
Nominal Supply Current
670mA
Density
18 Mb

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek