Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.59
- 10+ adet$2.45
- 100+ adet$2.31
- 500+ adet$2.18
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 18b
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Pin Sayısı
- 165
- Nominal Supply Current
- 670mA
- Memory Types
- Volatile
- Density
- 18 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- JESD-609 Kodu
- e0
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Clock Frequency
- 250MHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C1314
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Io Type
- SEPARATE
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Terminal Sayısı
- 165
- Montaj
- Surface Mount
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 2
- Access Time
- 450 ps
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory