Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.38
- 10+ adet$3.19
- 100+ adet$3.01
- 500+ adet$2.84
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- Density
- 18 Mb
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 900mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 165
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 18b
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 18Mb 512K x 36
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1mm
- Uzunluk
- 15mm
- Access Time
- 450 ps
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Word Size
- 36b
- Number Of Ports
- 2
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Terminal Sayısı
- 165
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- SEPARATE
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2003
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory