+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1312KV18-300BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-300BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
235
Io Type
SEPARATE
Terminal Sayısı
165
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Montaj
Surface Mount
Operating Supply Voltage
1.8V
Yayın Yılı
2003
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Radyasyon Dayanımı
No
Temel Parça No
CY7C1312
Terminal Kaplaması
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Organization
1MX18
Clock Frequency
300MHz
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
18Mb 1M x 18
Standby Voltagemin
1.7V
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Terminal Adımı
1mm
Word Size
18b
Number Of Ports
2
Access Time
450 ps
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
Uzunluk
15mm
Pin Sayısı
165
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Besleme Gerilimi
1.8V
Memory Width
18
Address Bus Width
19b
Kılıf / Paket
165-LBGA
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Output Characteristics
3-STATE
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
20
Supply Voltagemin Vsup
1.7V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek