Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- JESD-609 Kodu
- e0
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 560mA
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- Density
- 18 Mb
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Yayın Yılı
- 2003
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Terminal Sayısı
- 165
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Io Type
- SEPARATE
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Clock Frequency
- 250MHz
- Organization
- 1MX18
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C1312
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 18Mb 1M x 18
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory