Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.19
- 10+ adet$3.01
- 100+ adet$2.84
- 500+ adet$2.68
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Pin Sayısı
- 165
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Density
- 18 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 560mA
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- JESD-609 Kodu
- e0
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C1312
- Organization
- 1MX18
- Clock Frequency
- 250MHz
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Montaj
- Surface Mount
- Io Type
- SEPARATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Terminal Sayısı
- 165
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1mm
- Access Time
- 450 ps
- Ambalaj
- Tray
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory