Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.66
- 10+ adet$2.51
- 100+ adet$2.37
- 500+ adet$2.23
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nominal Supply Current
- 430mA
- Pin Sayısı
- 165
- Syncasync
- Synchronous
- Density
- 18 Mb
- Memory Types
- Volatile
- JESD-609 Kodu
- e0
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Additional Feature
- BURST ARCHITECTURE
- Uzunluk
- 15mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 450 ps
- Number Of Ports
- 2
- Word Size
- 8b
- Terminal Adımı
- 1mm
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 18Mb 2M x 8
- Clock Frequency
- 250MHz
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Temel Parça No
- CY7C1311
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Yayın Yılı
- 2003
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory