Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Types
- Volatile
- Density
- 36 Mb
- Syncasync
- Synchronous
- Pin Sayısı
- 165
- Pin Sayısı
- 165
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 20b
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Size
- 36Mb 2M x 18
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1mm
- Word Size
- 18b
- Number Of Ports
- 2
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 450 ps
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 15mm
- Io Type
- SEPARATE
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 165
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Montaj
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory