+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1245KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1245KV18-400BZXC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu
e1
Density
36 Mb
Pin Sayısı
165
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Memory Format
SRAM
Parça Durumu
Active
Kılıf / Paket
165-LBGA
Besleme Gerilimi
1.8V
Standby Voltagemin
1.7V
Ambalaj
Tray
Uzunluk
15mm
Word Size
36b
Number Of Ports
2
Yayın Yılı
2003
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Io Type
SEPARATE
Terminal Sayısı
165
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Organization
1MX36
Clock Frequency
400MHz
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Memory Interface
Parallel
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Nominal Supply Current
920mA
Syncasync
Synchronous
Memory Types
Volatile
Pin Sayısı
165
Kurşunsuz
Lead Free
Output Characteristics
3-STATE
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Fabrika Tedarik Süresi
6 Weeks
Address Bus Width
18b
Memory Width
36
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
36Mb 1M x 36
Access Time
450 ps

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek