+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1245KV18-400BZC

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1245KV18-400BZC

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Interface
Parallel
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
JESD-609 Kodu
e0
Density
36 Mb
Syncasync
Synchronous
Pin Sayısı
165
Memory Types
Volatile
Nominal Supply Current
920mA
Pin Sayısı
165
Besleme Gerilimi
1.7V~1.9V
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Additional Feature
PIPELINED ARCHITECTURE
Besleme Gerilimi
1.8V
Memory Width
36
Address Bus Width
18b
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Output Characteristics
3-STATE
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Kılıf / Paket
165-LBGA
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Size
36Mb 1M x 36
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Standby Voltagemin
1.7V
Terminal Adımı
1mm
Access Time
450 ps
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
Uzunluk
15mm
Word Size
36b
Number Of Ports
2
Montaj
Surface Mount
Io Type
SEPARATE
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
220
Supply Voltagemax Vsup
1.9V
Terminal Sayısı
165
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Yayın Yılı
2003
Operating Supply Voltage
1.8V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek