Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$4.07
- 10+ adet$3.84
- 100+ adet$3.62
- 500+ adet$3.42
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 18 Mb
- Pin Sayısı
- 165
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 510mA
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e0
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 450 ps
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Word Size
- 18b
- Number Of Ports
- 1
- Memory Size
- 18Mb 1M x 18
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Standby Currentmax
- 0.29A
- Temel Parça No
- CY7C1148
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Clock Frequency
- 400MHz
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 165
- Yayın Yılı
- 2003
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory