Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Reach Svhc
- No SVHC
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Pin Sayısı
- 32
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Format
- SRAM
- Power Supplies
- 5V
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Width
- 8
- Address Bus Width
- 17b
- JESD-609 Kodu
- e4
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 80mA
- Max Supply Current
- 80mA
- Density
- 1 Mb
- Pin Sayısı
- 32
- Syncasync
- Asynchronous
- Max Frequency
- 100MHz
- Memory Types
- Volatile
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Yayın Yılı
- 1996
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj
- Surface Mount
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 32
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Temel Parça No
- CY7C109
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Voltagemin
- 2V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory