Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Parça Durumu
- Active
- Power Supplies
- 5V
- Memory Format
- SRAM
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Width
- 8
- Address Bus Width
- 17b
- JESD-609 Kodu
- e4
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 80mA
- Memory Types
- Volatile
- Max Frequency
- 100MHz
- Syncasync
- Asynchronous
- Pin Sayısı
- 32
- Density
- 1 Mb
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 1996
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 3.7592mm
- Terminal Sayısı
- 32
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- COMMON
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Temel Parça No
- CY7C109
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Standby Voltagemin
- 2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory