Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.90
- 10+ adet$3.68
- 100+ adet$3.47
- 500+ adet$3.27
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Volatile
- Pin Sayısı
- 28
- Syncasync
- Asynchronous
- Density
- 1 Mb
- Yükseklik
- 3.1242mm
- Nominal Supply Current
- 80mA
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e4
- Genişlik
- 10.287mm
- Frekans
- 100MHz
- Address Bus Width
- 20b
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Kılıf / Paket
- 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Memory Format
- SRAM
- Power Supplies
- 5V
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 28
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Number Of Ports
- 2
- Word Size
- 1b
- Uzunluk
- 18.54mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tube
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 1Mb 1M x 1
- Access Time Max
- 10 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Voltagemin
- 2V
- Temel Parça No
- CY7C107
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 1MX1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory