CY7C1069G30-10ZSXI

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi

3V

Memory Width

8

Kılıf / Paket

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

Jesd30 Code

R-PDSO-G54

Memory Format

SRAM

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Besleme Gerilimi

2.2V~3.6V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Types

Volatile

Supply Voltagemin Vsup

2.2V

HTS Kodu

8542.32.00.41

Memory Interface

Parallel

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

10.16mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Organization

2MX8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Terminal Sayısı

54

Yayın Yılı

2012

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Maks. Oturma Yüksekliği

1.2mm

Write Cycle Time Word Page

10ns

Memory Density

16777216 bit

Terminal Adımı

0.8mm

ECCN Kodu

3A991.B.2.A

Fonksiyon Sayısı

1

Ambalaj

Tray

Uzunluk

22.415mm

Memory Size

16Mb 2M x 8

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Access Time Max

10 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant