+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1069G30-10BVXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1069G30-10BVXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket
48-VFBGA
Memory Format
SRAM
Parça Durumu
Active
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Besleme Gerilimi
3V
Memory Width
8
Besleme Gerilimi
2.2V~3.6V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Types
Volatile
Pin Sayısı
48
Genişlik
6mm
Supply Voltagemin Vsup
2.2V
HTS Kodu
8542.32.00.41
Memory Interface
Parallel
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Organization
2MX8
Yayın Yılı
2006
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Write Cycle Time Word Page
10ns
Memory Density
16777216 bit
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Terminal Sayısı
48
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Uzunluk
8mm
Terminal Adımı
0.75mm
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Size
16Mb 2M x 8
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Access Time Max
10 ns

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek