CY7C1061GN30-10ZSXIT

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi

2.2V~3.6V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Format

SRAM

Jesd30 Code

R-PDSO-G54

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Kılıf / Paket

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

Besleme Gerilimi

3V

Memory Width

16

Genişlik

10.16mm

JESD-609 Kodu

e3

Memory Interface

Parallel

Supply Voltagemin Vsup

2.2V

HTS Kodu

8542.32.00.41

Memory Types

Volatile

Memory Density

16777216 bit

Write Cycle Time Word Page

10ns

Maks. Oturma Yüksekliği

1.2mm

Yayın Yılı

1996

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

54

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Organization

1MX16

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Access Time Max

10 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Memory Size

16Mb 1M x 16

Fonksiyon Sayısı

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Uzunluk

22.415mm

Terminal Adımı

0.8mm

ECCN Kodu

3A991.B.2.A