CY7C1061GN30-10ZSXI

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi

2.2V~3.6V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Width

16

Besleme Gerilimi

3V

Parça Durumu

Active

Memory Format

SRAM

Jesd30 Code

R-PDSO-G54

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Kılıf / Paket

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

Memory Interface

Parallel

Supply Voltagemin Vsup

2.2V

HTS Kodu

8542.32.00.41

Genişlik

10.16mm

JESD-609 Kodu

e3

Memory Types

Volatile

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Terminal Sayısı

54

Maks. Oturma Yüksekliği

1.2mm

Write Cycle Time Word Page

10ns

Memory Density

16777216 bit

Yayın Yılı

1996

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Organization

1MX16

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yüzey Montaj

YES

Access Time Max

10 ns

Memory Size

16Mb 1M x 16

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Adımı

0.8mm

ECCN Kodu

3A991.B.2.A

Ambalaj

Tube

Fonksiyon Sayısı

1

Uzunluk

22.415mm