Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Density
- 8 Mb
- Pin Sayısı
- 44
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Width
- 16
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Memory Format
- SRAM
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Memory Size
- 8Mb 512K x 16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Voltagemin
- 2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Ports
- 1
- Word Size
- 16b
- Montaj
- Surface Mount
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 44
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Yayın Yılı
- 2010
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Standby Currentmax
- 0.02A
- Temel Parça No
- CY7C1051
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory