+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1049GN30-10ZSXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1049GN30-10ZSXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Temel Parça No
CY7C1049
Terminal Kaplaması
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Pozisyonu
DUAL
Organization
512KX8
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Terminal Sayısı
44
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Yayın Yılı
2005
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Write Cycle Time Word Page
10ns
Memory Density
4194304 bit
Maks. Oturma Yüksekliği
1.194mm
Terminal Adımı
0.8mm
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
Uzunluk
18.415mm
Memory Size
4Mb 512K x 8
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Access Time Max
10 ns
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Besleme Gerilimi
3V
Memory Width
8
Kılıf / Paket
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Parça Durumu
Active
Memory Format
SRAM
Jesd30 Code
R-PDSO-G44
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Besleme Gerilimi
2.2V~3.6V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Types
Volatile
Supply Voltagemin Vsup
2.2V
HTS Kodu
8542.32.00.41
Memory Interface
Parallel
JESD-609 Kodu
e4
Genişlik
10.16mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek