+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1049G30-10VXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1049G30-10VXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kurşunsuz
Lead Free
Besleme Gerilimi
2.2V~3.6V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Besleme Gerilimi
3V
Memory Width
8
Jesd30 Code
R-PDSO-J36
Memory Format
SRAM
Parça Durumu
Active
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kılıf / Paket
36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
Memory Interface
Parallel
Supply Voltagemin Vsup
2.2V
HTS Kodu
8542.32.00.41
Genişlik
10.16mm
JESD-609 Kodu
e4
Memory Types
Volatile
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Terminal Sayısı
36
Maks. Oturma Yüksekliği
3.7592mm
Write Cycle Time Word Page
10ns
Memory Density
4194304 bit
Yayın Yılı
2012
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Temel Parça No
CY7C1049
Organization
512KX8
Terminal Kaplaması
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Pozisyonu
DUAL
Yüzey Montaj
YES
Access Time Max
10 ns
Memory Size
4Mb 512K x 8
Montaj Tipi
Surface Mount
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Terminal Adımı
1.27mm
ECCN Kodu
3A991.B.2.A
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tube
Uzunluk
23.495mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek