Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$7.73
- 10+ adet$7.29
- 100+ adet$6.88
- 500+ adet$6.49
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- HTS Kodu
- 8542.31.00.01
- Memory Interface
- Parallel
- JESD-609 Kodu
- e4
- Genişlik
- 10.16mm
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G44
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 18.415mm
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Access Time Max
- 10 ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 512KX8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Terminal Sayısı
- 44
- Yayın Yılı
- 2012
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.194mm
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Memory Density
- 4194304 bit
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

