Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.59
- 10+ adet$0.56
- 100+ adet$0.53
- 500+ adet$0.50
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Terminal Sayısı
- 36
- Memory Density
- 4194304 bit
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 3.7592mm
- Yayın Yılı
- 2003
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Temel Parça No
- CY7C1049
- Organization
- 512KX8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Yüzey Montaj
- YES
- Access Time Max
- 10 ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tube
- Uzunluk
- 23.495mm
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Format
- SRAM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-J36
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Genişlik
- 10.16mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Types
- Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory