Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e4
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Nominal Supply Current
- 90mA
- Memory Types
- Volatile
- Density
- 4 Mb
- Syncasync
- Asynchronous
- Pin Sayısı
- 36
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Reach Svhc
- No SVHC
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Format
- SRAM
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Frekans
- 10GHz
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Memory Width
- 8
- Address Bus Width
- 19b
- Standby Voltagemin
- 2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Word Size
- 8b
- Number Of Ports
- 1
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 23.495mm
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Yayın Yılı
- 1996
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 3.683mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 36
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory