Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~3.6V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Memory Format
- SRAM
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e1
- Genişlik
- 6mm
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Pin Sayısı
- 48
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Yayın Yılı
- 2012
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Memory Density
- 4194304 bit
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 48
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Organization
- 256KX16
- Standby Currentmax
- 0.008A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Voltagemin
- 1V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Access Time Max
- 10 ns
- Yüzey Montaj
- YES
- Uzunluk
- 8mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory