Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- JESD-609 Kodu
- e4
- Syncasync
- Asynchronous
- Pin Sayısı
- 44
- Density
- 4 Mb
- Memory Types
- Volatile
- Max Frequency
- 83MHz
- Nominal Supply Current
- 190mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 44
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Memory Width
- 16
- Address Bus Width
- 18b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- Parça Durumu
- Obsolete
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Voltagemin
- 2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Word Size
- 16b
- Number Of Ports
- 1
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 44
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Io Type
- COMMON
- Write Cycle Time Word Page
- 12ns
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Yayın Yılı
- 1996
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory