Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Genişlik
- 10.262mm
- JESD-609 Kodu
- e4
- Density
- 1 Mb
- Pin Sayısı
- 44
- Yükseklik
- 1.044mm
- Io Type
- COMMON
- Terminal Sayısı
- 44
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- Yayın Yılı
- 1996
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Standby Voltagemin
- 2V
- Ambalaj
- Tray
- Uzunluk
- 18.52mm
- Word Size
- 16b
- Number Of Ports
- 1
- Pin Sayısı
- 44
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Reach Svhc
- No SVHC
- Address Bus Width
- 16b
- Frekans
- 100MHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Nominal Supply Current
- 60mA
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory