Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.40
- 10+ adet$0.37
- 100+ adet$0.35
- 500+ adet$0.33
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Yayın Yılı
- 1996
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Ambalaj
- Tray
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 48
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 48-VFBGA
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Size
- 1Mb 64K x 16
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- Terminal Sayısı
- 48
- JESD-609 Kodu
- e1
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Io Type
- COMMON
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Word Size
- 16b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Address Bus Width
- 16b
- Temel Parça No
- CY7C1021
- Density
- 1 Mb
- Uzunluk
- 8mm
- Pin Sayısı
- 48
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Format
- SRAM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory