+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
CY7C1012DV33-10BGXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1012DV33-10BGXI

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Number Of Ports
1
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Montaj
Surface Mount
Montaj Tipi
Surface Mount
Word Size
24b
Terminal Kaplaması
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Maks. Oturma Yüksekliği
2.4mm
Temel Parça No
CY7C1012
Address Bus Width
19b
Pin Sayısı
119
Density
12 Mb
Uzunluk
22mm
Syncasync
Asynchronous
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Supply Voltagemin Vsup
3V
Memory Width
24
Memory Format
SRAM
Memory Interface
Parallel
Memory Types
Volatile
Radyasyon Dayanımı
No
Output Characteristics
3-STATE
Yayın Yılı
2002
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Kurşunsuz
Lead Free
Besleme Gerilimi
3.3V
Besleme Gerilimi
3V~3.6V
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fonksiyon Sayısı
1
Pin Sayısı
119
Parça Durumu
Obsolete
Kılıf / Paket
119-BGA
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Write Cycle Time Word Page
10ns
Memory Size
12Mb 512K x 24
Standby Voltagemin
2V
Terminal Sayısı
119
Supply Voltagemax Vsup
3.6V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek