Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.95
- 10+ adet$2.78
- 100+ adet$2.63
- 500+ adet$2.48
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Kılıf / Paket
- 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
- Io Type
- COMMON
- JESD-609 Kodu
- e4
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 36
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Size
- 2Mb 256K x 8
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Yayın Yılı
- 1996
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Nominal Supply Current
- 90mA
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Organization
- 256KX8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Word Size
- 8b
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Number Of Ports
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Syncasync
- Asynchronous
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.75mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory