Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$21.68
- 10+ adet$20.45
- 100+ adet$19.29
- 500+ adet$18.20
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Terminal Sayısı
- 100
- JESD-609 Kodu
- e4
- Io Type
- COMMON
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Weight
- 657.000198mg
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 16
- Memory Types
- Volatile
- Address Bus Width
- 14b
- Uzunluk
- 14mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Syncasync
- Synchronous
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Word Size
- 16b
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Size
- 256Kb 16K x 16
- Standby Voltagemin
- 3V
- Clock Frequency
- 67MHz
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Access Time
- 9ns
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 100
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Yayın Yılı
- 1997
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Organization
- 16KX16
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory