Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.86
- 10+ adet$2.70
- 100+ adet$2.54
- 500+ adet$2.40
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 100
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Size
- 1Mb 64K x 16
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Standby Currentmax
- 0.00005A
- Io Type
- COMMON
- JESD-609 Kodu
- e0
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 100
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Yayın Yılı
- 2002
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Ambalaj
- Tray
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Organization
- 64KX16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Memory Format
- SRAM
- Nominal Supply Current
- 165mA
- Memory Width
- 16
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Pin Sayısı
- 100
- Density
- 1 Mb
- Uzunluk
- 14mm
- Address Bus Width
- 16b
- Temel Parça No
- CY7C028
- Syncasync
- Asynchronous
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 235
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory